Modélisation hyperfréquence des transistors MOS: Utilisation de différents schémas électriques équivalents.

Abstract

Le travail présenté dans ce projet porte sur la caractérisation et la modélisation de transistor LDMOS encapsulé en boîtier dans le domaine des hyperfréquences à base de différents schémas équivalents. L’extraction des éléments du modèle se fait par la méthode d’épluchage élaborée par G. DAMBRINE. Après l’extraction des valeurs des éléments, nous avons implémenté les modèles sur le logiciel de simulation ADS et fait une étude comparative des paramètres S mesurés et ceux simulés. Nous avons obtenu un bon accord pour tous les schémas, ce qui veut dire que les schémas équivalents utilisés sont très acceptables et bien adaptés pour ce genre de transistors. A la fin, nous avons simplifié le modèle pour améliorer le temps d’extraction de ses éléments.