Evaluation des performances des FD - SOI MOSFET pour différentes fonctions de travail de s grille s métalliques.

Abstract

Les transistors à effet de champ (MOSFET), silicium sur isolant (SOI) et totalement appauvri (FD) sont les principaux candidats pour les noeuds submicroniques inférieur à 65 nm. Cette étude présente les effets des fonctions de travail de la grille métallique sur la performance du MOSFET FD-SOI. L'outil de simulation SILVACO tcad est utilisé pour étudier l'effet des fonctions de travail des grilles sur la performance du FD-SOI MOSFET. La longueur de canal spécifique du dispositif qui a été choisie est de 28 nm. La simulation a permis d'observer qu'en changeant la fonction de travail des grilles métalliques du FD-SOI MOSFET, nous pouvons changer la tension de seuil. Par conséquent, en utilisant cette technique, nous pouvons fixer la tension de seuil appropriée du FD-SOI MOSFET à la même tension et nous pouvons diminuer le courant de fuite, et les effets de canal court et augmenter le courant de drain.