Détermination de la longueur de diffusion des porteurs de charge d’un nanofil par la technique du courant induit par bombardement électronique (EBIC

Abstract

Ce travail est consacré à une modélisation du signal EBIC d’une jonction Schottky de forme fil. L'effet des paramètres physiques du semiconducteur tels que la longueur de diffusion, L, et la vitesse de recombinaison surfacique, vr, et des paramètres géométriques tels que le rayon, ra, et la longueur d du fil sur la distribution des porteurs de charge générés et sur le signal EBIC est étudié. Les résultats montrent que le signal EBIC calculé diminue avec l'augmentation de vr et il dépend fortement de ce paramètre lorsque L> ra. Il devient indépendant de ce paramètre pour le cas de faibles et de fortes valeurs de ce dernier. Pour le cas L <ra, le signal EBIC est presque indépendant de vr, sauf dans la région proche du contact o ù une légère variation est constatée. Par ailleurs, le signal EBIC augmente avec l'augmentation de L jusqu'à une valeur Ls à partir de là le signal devient indépendant de L. En outre, le signal EBIC augmente avec l'augmentation de la rayonne du fil. Pour la longueur du fil h, le signal EBIC est quasiment indépendant de ce paramètre.