Modélisation et caractérisation du transistor MOS dans le domaine des hyperfréquences.

Abstract

Dans ce travail, nous avons développé un modèle linéaire pour les transistors MOS en boitier utiles pour des applications en hyperfréquences. Le modèle développé reproduit de manière précise, les caractéristiques hyperfréquences des transistors LDMOS en régime petit signal.il prend en compte l’effet du boitier, présent dans les composants. Le modèle a été validé à travers des mesures à l’aide d’un analyseur de réseaux vectoriel.L’extraction des paramètres du modèle est très rapide et son implémentation dans un simulateur de circuits commercial est très simple. A la fin nous avons visualisé l’influence de la polarisation sur les éléments intrinsèques, afin de comprendre la non-linéarité du transistor