Résumé:
Le travail que nous avons réalisé est une contribution à l'étude du silicium poreux élaboré sur substrat de silicium monocristallin par la technique d'anodisation électrochimique. Plusieurs échantillons de silicium poreux ont été élaborés en faisant varier certains
paramètres expérimentaux tels que le courant et la durée d'anodisation. Les caractérisations de nos couches poreuses par diffraction rayon X (DRX) et Spectroscopie Raman, ont montré l'influence de
I ‘intensité de courant et la durée d'anodisation sur la couche de silicium, par ailleurs on a constaté une diminution de la taille des nanocristallines jusqu'à I'amorphisation totale du silicium. L'évolution de la taille des nanostructures en fonction de la durée d'anodisation a permis aussi de déterminer deux parties : une partie croissante qui s'explique par un début d'anodisation de la surface, et une autre décroissante qui s'explique
par un élargissement latérale des pores créés en surface au détriment des nanostructures
