Résumé:
Dans le présent travail, nous nous sommes intéressés à l’étude de l’effet de dopage sur les
propriétés optiques de matériaux semiconducteurs MgFe2-x MnxO4 de structure spinelle. Pour cela,
nous avons synthétisé les semiconducteurs MgFe2-x MnxO4 (x=0, 0.4, 0.8, 1.2, 1.6 et 2) par la voie
nitrate. Afin d’étudier les propriétés optiques des matériaux élaborés, nous avons utilisé les techniques de
caractérisations suivantes : diffractions des rayons X, étude des spectres Infra-rouge, analyse
morphologique via MEB et UV-Visible. La diffraction des rayons X a confirmé la formation de la phase de
nos échantillons MgFe2O4 et MgMn2O4, l’analyse des spectres IR a montré que l’existence de deux bandes
d'absorption à caractère métallique entre 500 et 800 𝑐𝑚−1 attribuées respectivement au tétraèdre MgO et les
octaèdres (Fe2O3) et (Mn2O3). L’étude de la réflectance diffuse a permet de déterminer les différents gaps
des semiconducteurs synthétisé dont, MgFe2O4 et MgMn2O4 (x=0,2) et présente les valeurs de gaps
respectivement de 1.55𝑒𝑉et 1.1𝑒𝑉
