Etude de l’effet de dopage sur les propriétés optiques d`un nanomatériau semiconducteur, MgFe2-xMnxO4 (x=0,0.4,0.8,1.2,1.6,2)

Abstract

Dans le présent travail, nous nous sommes intéressés à l’étude de l’effet de dopage sur les propriétés optiques de matériaux semiconducteurs MgFe2-x MnxO4 de structure spinelle. Pour cela, nous avons synthétisé les semiconducteurs MgFe2-x MnxO4 (x=0, 0.4, 0.8, 1.2, 1.6 et 2) par la voie nitrate. Afin d’étudier les propriétés optiques des matériaux élaborés, nous avons utilisé les techniques de caractérisations suivantes : diffractions des rayons X, étude des spectres Infra-rouge, analyse morphologique via MEB et UV-Visible. La diffraction des rayons X a confirmé la formation de la phase de nos échantillons MgFe2O4 et MgMn2O4, l’analyse des spectres IR a montré que l’existence de deux bandes d'absorption à caractère métallique entre 500 et 800 𝑐𝑚−1 attribuées respectivement au tétraèdre MgO et les octaèdres (Fe2O3) et (Mn2O3). L’étude de la réflectance diffuse a permet de déterminer les différents gaps des semiconducteurs synthétisé dont, MgFe2O4 et MgMn2O4 (x=0,2) et présente les valeurs de gaps respectivement de 1.55𝑒𝑉et 1.1𝑒𝑉