Etude des propriétés physique et électrochimique d’un matériau semiconducteur (MgBi2O4 ,CoBi2O4) élaboré par voie solide

Abstract

Le but de ce travail est d’élaborer un matériau semiconducteur de type spinelle et de caractériser ses propriétés physiques. Pour cette raison, nous avons synthétisé deux semiconducteurs ; MgBi2O4 et CoBi2O4 par la méthode de réaction à l’état solide, puis, nous avons étudié leurs propriétés physiques via divers types de caractérisations : DRX, IR et UV-Visible. Les résultats des diffractions des rayons X nous ont confirmé la pureté des phases obtenues de nos échantillons. L’analyse des spectres IR prouve que les pics figurés entre correspondent aux bandes de vibration des liaisons ((650 et 440 cm−1) et (950 et 450 cm−1)) qui est confirme le caractère métallique des produits MgBi2O4 et CoBi2O4 respectivement. L’étude de la réflectance diffuse des deux semiconducteurs MgBi2O4 et CoBi2O4 a déterminé l’énergie du gap pour ces dernier dont Eg= 2.9 (eV) et Eg = 1.47(eV).