Résumé:
Dans ce travail, nous avons préparé des couches minces de sulfure d'étain par la technique spin-coating sur des substrats en verre. Le rapport des précurseurs dans les solutions S :Sn était 1.2 ou 1.5 et la concentration de l’EDTA égale à 6.66mM.L-1 ou nulle. Le but de ce travail est de développer des films minces de sulfure d'étains ayant un grand coefficient d’absorption pour une utilisation dans les cellules solaires. L’échantillon élaboré à partir d’une solution 6.66 mM EDTA avec le rapport S :Sn égal à 1.2, recuit à 300°C ainsi que tous les échantillons recuits à 400°C présentaient une absorbance négligeable et cela malgré que leur gaps soient plus petits. Les autres échantillons recuits à 300°C présentent une plus grande absorbance bien que leur énergie de gap soit relativement grande. Les couches qui ont subi un recuit à 450°C sont devenues transparentes et leurs gaps très grands doivent correspondre à l’oxyde d’étain qui s’est formé. La résistivité de tous les échantillons déterminée par la technique des quatre pointes était trop petite par rapport aux valeurs rapportées dans la littérature.
