Etude de contact métal: graphéne dans les dispositifs électroniques à base de graphéne.

Abstract

Le graphène avec une mobilité élevée des porteurs de plus de 10 000 cm2 /VS sur SiO2 a attiré beaucoup d'attention en tant que candidat prometteur pour les futurs matériaux de transistors à haute vitesse. La résistance de contact (RC) entre le graphène et les électrodes métalliques est d'une importance cruciale pour obtenir des performances potentiellement élevées du graphène d'un point de vue physique et pratique. Cette étude traite des propriétés de contact métalgraphène en les séparant de la conduction intrinsèque du graphène. En tant que nouveau type de matériau semi-conducteur doté de bonnes propriétés électriques et mécaniques, le graphène a de nombreuses applications. Le facteur important affectant les performances des dispositifs au graphène est la résistance de contact du graphène et du métal, qui est beaucoup plus élevée que la résistance de contact traditionnelle des semi-conducteurs.