Etude et modélisation compacte d’un transistor MOSFET canal long.

Abstract

Dans ce travail, nous décrivons une approche de modèle développée pour les simulations de circuits, appliquée au transistor idéal MOS à canal long. Le modèle décrit toutes les caractéristiques du transistor en fonction des potentiels de surface. Dans l'approche classique, ceux-ci sont calculés de manière itérative à chaque tension appliquée. L'idée de ce développement est d'étudier le modèle Charge sheet basé sur une approximation analytique de l'équation implicite du potentiel de surface. Différentes approximations du potentiel de surface peuvent être faites dans les différentes régions de fonctionnement du transistor, ce modèle basé sur une seule équation valable du sous-seuil à la saturation, fait intervenir les courants de conduction et de diffusion, séparément.