Modélisation Monte-Carlo du phénomène de dépôt des films minces de silicium.

Abstract

Le travail présenté dans le cadre de ce mémoire est consacré à l'étude par utilisation d'une méthode numérique de Monte Carlo Cinétique (KMC) du phénomène de dépôt des films minces de silicium par décomposition chimique en phase vapeur et à basse pression du silane (SiH4). Les simulations ont été réalisées en fonction de plusieurs paramètres expérimentaux contrôlant le dépôt. Les résultats ont montré que la phase de dépôt en termes de microstructure interne et taux de remplissage, est fortement liée à la pression, la température, et la durée du processus de dépôt.