Modélisation Monte-Carlo du phénomène de dépôt des films minces de silicium.

dc.contributor.author	Zeghouane, Mohamed Charif
dc.contributor.author	Bouridah, Hachemi (Encadreur)
dc.date.accessioned	2023-02-19T14:09:32Z
dc.date.available	2023-02-19T14:09:32Z
dc.date.issued	2014
dc.identifier.uri	http://dspace.univ-jijel.dz:8080/xmlui/handle/123456789/12475
dc.description	Option: Microélectronique	fr_FR
dc.description.abstract	Le travail présenté dans le cadre de ce mémoire est consacré à l'étude par utilisation d'une méthode numérique de Monte Carlo Cinétique (KMC) du phénomène de dépôt des films minces de silicium par décomposition chimique en phase vapeur et à basse pression du silane (SiH4). Les simulations ont été réalisées en fonction de plusieurs paramètres expérimentaux contrôlant le dépôt. Les résultats ont montré que la phase de dépôt en termes de microstructure interne et taux de remplissage, est fortement liée à la pression, la température, et la durée du processus de dépôt.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Université de Jijel	fr_FR
dc.subject	Dépôt de silicium, Monte-Carlo Cinétique (KMC), Films minces, Dépôt chimique en phase vapeur (CVD), microstructure, Cinétique de dépôt, LPCVD	fr_FR
dc.title	Modélisation Monte-Carlo du phénomène de dépôt des films minces de silicium.	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR