Etude et modélisation du transport électronique dans les transistors TFT.

Abstract

Dans ce mémoire de Master, nous nous sommes proposer l'étude du transport électronique dans les structure MOS TFT ultime en utilisant un modèle analytique dit compact et qui prend en considération les effets quantiques. Ce modèle est basé sur une expression analytique du potentiel de surface qui introduit les effets quantiques en considération. L'effet de la densité des pièges ainsi que les paramètres technologiques sur la tension de seuil par sont étudiés ainsi que leurs effets la caracteristique IDs-VDs.