Etude et modélisation du transport électronique dans les transistors TFT.

dc.contributor.author	Derouiche, Soufiane
dc.contributor.author	Remmouche, Riad (Encadreur)
dc.date.accessioned	2023-02-19T14:25:09Z
dc.date.available	2023-02-19T14:25:09Z
dc.date.issued	2014
dc.identifier.uri	http://dspace.univ-jijel.dz:8080/xmlui/handle/123456789/12480
dc.description	Option: Microélectronique	fr_FR
dc.description.abstract	Dans ce mémoire de Master, nous nous sommes proposer l'étude du transport électronique dans les structure MOS TFT ultime en utilisant un modèle analytique dit compact et qui prend en considération les effets quantiques. Ce modèle est basé sur une expression analytique du potentiel de surface qui introduit les effets quantiques en considération. L'effet de la densité des pièges ainsi que les paramètres technologiques sur la tension de seuil par sont étudiés ainsi que leurs effets la caracteristique IDs-VDs.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Université de Jijel	fr_FR
dc.subject	Modèle analytique compacte, Effet quantique, Transport électronique, MOS TFT	fr_FR
dc.title	Etude et modélisation du transport électronique dans les transistors TFT.	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR