Abstract:
Ce travail de recherche porte sur l’utilisation d’un modèle standard,
destiné à l’étude de l’influence des joints de grains, sur les propriétés de
transport dans le silicium nanocristallin, polycristallin ou multicristallin ; qui
nous a poussé à inspirer une méthode analogique et graphique liée à l’estimation
de la hauteur de la barrière de potentiel. Pour ce qui est de la hauteur de la
barrière de potentiel, les résultats obtenus ont montré que la densité d’états
pièges aux niveaux des joints de grains est un paramètre déterminant pour
l’estimation de la valeur maximale de cette dernière (barrière). D’autre part, la
densité d’états pièges est étroitement liée à la dimension des grains et au taux
de dopage. Les propriétés de conduction (ou de transport) représenté par la
mobilité effective, la conductivité et le courant thermoïonique aux niveaux des
joints de grains ont aussi vérifiés cette dépendance.
