Propriétés de conduction dans des films multicristallin.

Abstract

Ce travail de recherche porte sur l’utilisation d’un modèle standard, destiné à l’étude de l’influence des joints de grains, sur les propriétés de transport dans le silicium nanocristallin, polycristallin ou multicristallin ; qui nous a poussé à inspirer une méthode analogique et graphique liée à l’estimation de la hauteur de la barrière de potentiel. Pour ce qui est de la hauteur de la barrière de potentiel, les résultats obtenus ont montré que la densité d’états pièges aux niveaux des joints de grains est un paramètre déterminant pour l’estimation de la valeur maximale de cette dernière (barrière). D’autre part, la densité d’états pièges est étroitement liée à la dimension des grains et au taux de dopage. Les propriétés de conduction (ou de transport) représenté par la mobilité effective, la conductivité et le courant thermoïonique aux niveaux des joints de grains ont aussi vérifiés cette dépendance.