Résumé:
Ce travail concerne l'étude de dispositifs MOS ultimes. Nous nous Intéressons donc à la Capacité fortement submicronique ayant une épaisseur d'oxyde nanométrique. Le but de cette étude est de remonter aux caractéristiques C(V) et I(V) de notre structure, ceci nous a nécessité la résolution couplée des équations de « Poisson » et de « Schrödinger » qui n'est pas du tout facile à résoudre sans faire appel à un traitement particulier des équations différentielles en les modélisant par la méthode des différences finies, puis résoudre numériquement le système par la méthode itérative de Newton Raphson. Les résultats obtenus montrent clairement gue le dioxyde de Silicium atteint ses limites physiques et technologiques pour des épaisseurs très faibles à cause des problèmes de fuite qui dégradent fortement la fiabilité du composant. C'est pour cela que les matériaux high-k ont pris place pour remplacer l’oxyde conventionnel pour remédier les problèmes de fuite en utilisant des épaisseurs plus grandes tout en conservant les mêmes électriques.
