Etude et modélisation de la diffusion bidimensionnelle des dopants usuels dans le silicium à affinité microélectronique.

Abstract

Ce travail, concerne l’analyse d'une étape particulière des procédés de fabrication mis en œuvre en micro-électronique : la diffusion des dopants. Notre étude s`intéresse à la modélisation bidimensionnelle de la diffusion dans le polysilicium, basée sur la résolution numérique de l’équation générale de la diffusion par la méthode des différences finies. Nous avons étudié la diffusion du bore et de l’arsenic dans une couche mince de polysilicium fortement dopé par implantation ionique, et plus précisément nous avons montré importance de la diffusion en profondeur par apport à la diffusion latérale. Les simulations ont été réalisées en fonction de la dose implantée, de l’énergie d'implantation, et des paramètres du recuit thermique (température et durée).