Résumé:
Dans ce travail nous avons élaboré et caractérisé des films mince d’oxyde d’étain (SnO2) pur et
dopés, tous les films ont été déposés sur des substrats en verre à 350 °C par la méthode de spray
pyrolyse pneumatique. Dans notre étude nous avons utilisé comme dopant l’aluminium le
bismuth et l’antimoine à deux taux differents concentration 2% et 4%.
Les échantillons ont été caractérisé par la diffraction des rayons X (DRX), spectroscopie par
UV-visible, microscope électronique à balayage (MEB), et la méthode des quatre pointes.
L’analyse par UV-VIS-PIR à montrer que la transmission des couches minces d’oxyde d’étain
dopée et non dopées était transparente dans la région visible (80%) et absorbante dans l’ultraviolet. La valeur de la bande interdite a été comprise entre 3.60 eV et 3.75 eV en fonction du
dopage.
Les propriétés électriques confirment que le dopage à diminuer la résistivité électrique des
couches minces SnO2 de 13.3×103 (Ω.cm) à 0.689×10-4
(Ω.cm) pour l’oxyde d’étain non dopé
et l’oxyde d’étain dopé 4% d’aluminium.
