Elaboration et caractérisation des supports transparents conducteurs à base d’oxyde d’étain dopés Al, Bi et Sb synthétisés par ASPM

Abstract

Dans ce travail nous avons élaboré et caractérisé des films mince d’oxyde d’étain (SnO2) pur et dopés, tous les films ont été déposés sur des substrats en verre à 350 °C par la méthode de spray pyrolyse pneumatique. Dans notre étude nous avons utilisé comme dopant l’aluminium le bismuth et l’antimoine à deux taux differents concentration 2% et 4%. Les échantillons ont été caractérisé par la diffraction des rayons X (DRX), spectroscopie par UV-visible, microscope électronique à balayage (MEB), et la méthode des quatre pointes. L’analyse par UV-VIS-PIR à montrer que la transmission des couches minces d’oxyde d’étain dopée et non dopées était transparente dans la région visible (80%) et absorbante dans l’ultraviolet. La valeur de la bande interdite a été comprise entre 3.60 eV et 3.75 eV en fonction du dopage. Les propriétés électriques confirment que le dopage à diminuer la résistivité électrique des couches minces SnO2 de 13.3×103 (Ω.cm) à 0.689×10-4 (Ω.cm) pour l’oxyde d’étain non dopé et l’oxyde d’étain dopé 4% d’aluminium.