Étude et modélisation d’une héterostructure NP à base des nanocristaux de silicium

Abstract

Le travail de mémoire consiste en l’étude et la modélisation d’une hétérojonction à base des nanocristaux de silicium nc-si. Dans un premier temps, le principe de fonctionnement de cette hétérojonction nc-si (n) / silicium monocristallin (p) à l’équilibre en précisant les différents paramètres utilisés pour mettre en œuvre les simulations a été étudié, à l’aide du fameux modèle d’Anderson. Une partie de ce travail a été dédiée à la simulation numérique des propriétés électroniques en termes de l’énergie potentielle, des différences d’énergie dans les bandes de valence et de conduction ainsi de la densité de courant de saturation. Pour cela, la taille des nanocristaux de silicium a été prise comme le paramètre opératoire le plus influent. Finalement, la caractéristique J(V) a été simulée. L’ensemble des résultats a monté la forte dépendance du phénomène de transport dans l’hétérojonction, sur la morphologie de la couche nanocristalline en terme de taille des nanocristaux de silicium.