Résumé:
Grâce ses propriétés extraordinaires, le champ d’application du graphène ne cesse de
s’élargir. Dans le but de mieux comprendre l’origine et l’intérêt d’utilisation du graphène dans
les transistors, dans ce travail de mémoire, nous nous proposons d’étudier le comportement
électrique du graphène bicouche. Pour ce faire, nous avons vérifie un modèle compact, qui
inclue la densité de porteurs, la capacité quantique et le potentiel localisé le long du canal. Les
résultats obtenus montrent qu’il y a plusieurs paramètres qui influencent le comportement de
transistor à base de graphène bicouche tel que la tension de polarisation, la géométrie du
transistor, la taille de transistor et la longueur du canal. Ces paramètres peuvent transformer la
densité des porteurs de charges qui participent au phénomène de la conduction. Les résultats
obtenus nous ont permis de comprendre le fonctionnement de ce modèle, qui est un nouveau
modèle de FET à double grille. De plus, le modèle développé offre une analyse complète des
mécanismes de conduction dans les FET à double grille.
