Etude et simulation du transport électronique dans les transistors à base de graphène bicouche

Abstract

Grâce ses propriétés extraordinaires, le champ d’application du graphène ne cesse de s’élargir. Dans le but de mieux comprendre l’origine et l’intérêt d’utilisation du graphène dans les transistors, dans ce travail de mémoire, nous nous proposons d’étudier le comportement électrique du graphène bicouche. Pour ce faire, nous avons vérifie un modèle compact, qui inclue la densité de porteurs, la capacité quantique et le potentiel localisé le long du canal. Les résultats obtenus montrent qu’il y a plusieurs paramètres qui influencent le comportement de transistor à base de graphène bicouche tel que la tension de polarisation, la géométrie du transistor, la taille de transistor et la longueur du canal. Ces paramètres peuvent transformer la densité des porteurs de charges qui participent au phénomène de la conduction. Les résultats obtenus nous ont permis de comprendre le fonctionnement de ce modèle, qui est un nouveau modèle de FET à double grille. De plus, le modèle développé offre une analyse complète des mécanismes de conduction dans les FET à double grille.