Modélisation à base du potentiel de surface du transistor à effet de champ en couches minces

Abstract

Les transistors à effet de champ, en particulier les transistors en couches minces (TFT), sont les éléments de base de la micro et la nanoélectronique. Ils sont constitués de couches successives de semiconducteurs, diélectriques et couches métalliques, avec une préférence pour le silicium en tant que semiconducteur. Notre projet de fin d'études consiste à modéliser le fonctionnement des transistors TFTs afin de comprendre leurs mécanismes et leurs modes de fonctionnement. Notre manuscrit est divisé en trois chapitres qui traitent du silicium, de la technologie des transistors en couches minces, des mécanismes de transport de charges et des modèles compacts de TFT à base de film actif polysilicium, organique et graphène. Nous avons également réalisé des simulations numériques pour évaluer l'impact des paramètres électriques et technologiques des TFTs basés sur différents matériaux actifs. Les résultats ont montré que ces paramètres influencent significativement le potentiel de surface et les caractéristiques courant-tension des dispositifs. Les modèles compacts sont essentiels pour relier les équipes de fabrication et de conception en modélisant analytiquement les propriétés physiques des dispositifs.