Contribution des traitements thermiques à réduire le nombre de sites de ségrégation aux joints de grains

Abstract

Ce travail de recherche portait sur l’étude de l’influence des recuits thermiques sur le phénomène de ségrégation des porteurs aux joints de grains, dans les semiconducteurs polycristallins ou multicristallins ; Ces derniers forment un chemin privilégié pour une ségrégation rapide des porteurs où ils risquent d’être piéger. Les résultats obtenus ont montré que la densité d’états pièges (Nt) aux niveaux des joints de grains est un paramètre déterminant pour l’estimation de la valeur de la barrière de potentiel (Vb). La dimension des grains dépend de l’augmentation de la température du recuit thermique réalisé à différentes durées. Ainsi, le traitement thermique joue un rôle important pour diminuer l’activité électrique des défauts aux joints de grains, par suite renforcer le potentiel qu’offre le polysilicium ou le multisilicium en couche mince à l’industrie photovoltaïque ou circuits intégrés.