Résumé:
Ce travail s’inscrit dans le cadre de l’étude de la corrélation entre les propriétés électriques et
optiques des nanocristaux de silicium dopé en se basant sur des données expérimentales prises
de la littérature. Cette étude a été menée en passant par plusieurs étapes, à savoir l’étude des
défauts dans la matrice dans laquelle sont incorporées les nanocristaux et le développement
d’une expression analytique reliant la conductivité à la largeur de la bande interdite. Cette
expression nous a permis d’accéder à une relation semi empirique entre la conductivité électrique
et l’indice de réfraction.
Les résultats obtenus ont montré le rôle important que joue la morphologie des nanocristaux
de silicium, à savoir la taille et la cristallinité des nanocristaux, dans le phénomène de transport
électrique et les paramètres qui le caractérisent, en l’occurrence, la densité des pièges, la mobilité
et la conductivité électrique. En effet, la corrélation entre la conductivité et l’indice de réfraction
a montré qu’une couche à base de silicium nanocristallin de bonnes propriétés électriques induit
forcements des bonnes propriétés optiques.
