Résumé:
L'objectif de cette étude est de développer un modèle dans MATLAB pour simuler et
analyser le mouvement des électrons dans les systèmes bidimensionnels, en particulier à
l'intérieur des transistors. L'étude introduit deux programmes MATLAB de base, "trajectoire"
et "intersection", pour modéliser le mouvement des électrons, en tenant compte de plusieurs
paramètres tels que les points de départ, les dimensions des matériaux, les collisions et les
vitesses. Grâce à des simulations détaillées, l'étude examine l'impact de facteurs tels que
l'accélération, la géométrie du canal et la taille du pas sur les trajectoires des électrons, dans le
but d'améliorer la compréhension et les performances du transport des électrons dans les
transistors.
Les résultats soulignent l'importance du contrôle de ces paramètres pour améliorer
l'efficacité des transistors, ouvrant la voie à des avancées significatives dans la conception des
dispositifs électroniques. Cette recherche contribue au développement de transistors plus fiables
et plus performants, ce qui est vital pour l'avenir de la technologie.
