Résumé:
Ce travail consiste à étudier et modéliser une hétérojonction formé d’une couche de silicium
nanocristallin dopé type N déposé sur un substrat de silicium monocristallin dopé type P en terme
de la barrière de potentiel, des décalage d’énergie dans les bandes de valence et de conduction, de
la densité de courant de saturation ainsi des caractéristiques J(V) et C(V) de l’hétérojonction.
L’étude théorique a été menée en fonction de la taille des nanocristallites de la couche de silicium
nanocristallin. Les résultats ont montré la forte dépendance des propriétés physique et
électroniques de l’hétérojonction sur la taille des nanocristaux de silicium, en effet, un ajustement
de cette taille peut d’ajuster les caractéristiques relatives à l’application désirée de l’hétérojonction
dans le domaine optoélectronique et photovoltaïque.