Contribution à l’étude des propriétés d’une hétérojonction pn a base de silicium nanocristallin: effet de la taille des nanocristaux de silicium

Abstract

Ce travail consiste à étudier et modéliser une hétérojonction formé d’une couche de silicium nanocristallin dopé type N déposé sur un substrat de silicium monocristallin dopé type P en terme de la barrière de potentiel, des décalage d’énergie dans les bandes de valence et de conduction, de la densité de courant de saturation ainsi des caractéristiques J(V) et C(V) de l’hétérojonction. L’étude théorique a été menée en fonction de la taille des nanocristallites de la couche de silicium nanocristallin. Les résultats ont montré la forte dépendance des propriétés physique et électroniques de l’hétérojonction sur la taille des nanocristaux de silicium, en effet, un ajustement de cette taille peut d’ajuster les caractéristiques relatives à l’application désirée de l’hétérojonction dans le domaine optoélectronique et photovoltaïque.