Modélisation et caractérisation des transistors LDMOS dans le domaine des RF à Base de schéma équivalent

Abstract

e MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est aujourd'hui le composant le plus répandu en microélectronique, dominant les circuits numériques grâce à son faible coût et ses performances. Son utilisation s'étend également aux applications radiofréquences (RF) en particulier avec les LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor), Ce mémoire se concentre sur la modélisation du transistor LDMOS dans le domaine des hyperfréquences (0,2 à 2,7 GHz) utilisant une approche phénoménologique, basée sur un schéma équivalent petit signal. La méthode d'extraction des paramètres du modèle, inspirée des travaux de G. Dambrine, repose sur une décomposition en éléments intrinsèques (canal) et extrinsèques (parasites), avec une procédure d'épluchage (deembedding) des matrices de paramètres S mesurés. Nous avons effectué une analyse de sensibilité afin d’évaluer l'influence des éléments extrinsèques (variation de ±3%) sur les paramètres intrinsèques du transistor.