Contribution à l’étude des propriétés électrique du silicium Polycristallin a affinité microélectronique.

Abstract

Ce travail porte sur l’étude de l’impact des paramètres microstructuraux sur le comportement électrique du silicium polycristallin, un matériau de référence dans les dispositifs microélectroniques et photovoltaïques. À travers une approche de modélisation analytique, nous avons examiné l’effet de la taille des grains et de la concentration en dopants sur la mobilité des porteurs de charge ainsi que sur la conductivité électrique. Les résultats obtenus mettent en évidence une diminution de la mobilité et une variation significative de la conductivité, corrélées à la réduction de la taille des grains et à l’augmentation du niveau de dopage, en cohérence avec les prédictions des modèles théoriques existants.