Résumé:
Ce travail porte sur le développement d’un modèle compact pour les transistors à
couches minces (TFTs) en silicium polycristallin, basé sur le potentiel de surface. Dans un
premier temps, une étude approfondie des différentes structures du silicium, ainsi que des
propriétés physiques associées a été réalisée. Ensuite, les mécanismes physiques, notamment le
piégeage de charge, la densité des états et la ségrégation des dopants ont été analysés via les
équations de Poisson, de Schrödinger et de continuité. Le modèle proposé permet une
description précise du comportement des TFTs en régime statique. Il met en évidence l’effet du
dopage, de la densité d’états des pièges, de la taille des grains et de l’épaisseur de l’oxyde de
grille sur le potentiel de surface, la tension de seuil et les caractéristiques I-V. En introduisant
des effets secondaires comme GBMM, TDMM et PVL, le modèle s’affranchir des limitations
des approches classiques et ouvre la voie à une meilleure simulation des circuits à base de TFTs
polycristallins.
