Résumé:
Le MOSFET est aujourd'hui le transistor le plus utilisé en microélectronique. Alors qu'il
sert principalement pour la conception de circuits numériques, son faible coût et
performances en font un composant de plus en plus intéressant pour les applications RF.
Pour ces raisons, une nouvelle génération de composant semi-conducteur est apparue sur ta
scène de l'amplification de puissance : le LDMOS.
Dans ce projet, notre but est de modéliser, dans le domaine des radiofréquences le
transistor LDMOS. Pour cela, nous avons utilisé la modélisation phénoménologique en se
basant sur un schéma équivalent que nous avons choisi. Pour extraire les éléments de ce
dernier, nous avons utilisé la méthode d'épluchage élaborée par G. Dambrine, et à l'aide du
simulateur ADS, nous avons comparé fes résultats de la mesure avec ceux de la simulation;
nous avons obtenus un bon accord. L'extraction des éléments du modèle petit-signal est
rapide et précise. Enfin, nous avons étudié la sensibilité des éléments intrinsèques par
rapport à l'extraction des éléments extrinsèque, par conséquent nous avons appliqué une
erreur de +-2% ou +-4% sur les éléments extrinsèques à tour de rôle et cela pour plusieurs
points de polarisation.
