Résumé:
Les films minces de NiO ont été déposés sur subtrats de silicium et verre par la méthode sol gel avec différente concentration de dopage.Les films ont été caractérisés par la diffractions des rayons X, la spectroscopie UV-Visible, le profilométrie et la méthode des quatre pointes.
L'analyse par la diffraction des rayons X a montré que nos films présentent une structure cubique avec une orientation préférentielle suivant:
- La valeur de geb diminue lorsque le dopage par manganèse augmente.
- La résistivité électrique diminue avec l'augmentation du taux de dopage