Résumé:
Le présent travail porte sur l'élaboration des couches minces de CuSe sur le verre conducteur(ITO), par électrodéposition.Les alliages Cu-Se possèdent de bonnes propriétés, ce qui les rend candidats à une utilisation dans les cellules solaires ou dans la conversion thermoélectrique.
Nous avons utilisé la cellule électrochimique à trois électrodes pour élaborer les alliages CuSe nos dopées et Cu-Se dopées Sn, et la cellule à deux électrodes pour élaborer l'alliage CuSe dopé In.
Nous avons déterminé les intervalles de potentiels ou les alliages Cu-Se peuvent etre déposés.L'étude par voltamétrie cyclique a montré que ces alliages commencent à se déposer à un potentiel supérieur au potentiel de réduction des cations Cu+2 et inférieur au potentiel de réduction des ions Se(IV) lorsqu'ils sont seuls en solution.
Les couches Cu-Se et Cu-Se dopées Sn ont été élaborés à un potentiel: E=-290 mV/ECS.Pour élaborer les couches Cu-Se dopées In dans la cellue à deux électrodes nous avons fixé un potentiel de façon à avoir un courant de dépot d'environ 0,5 mA.
La caractérisation par diffraction DRX a montré que nous avons bien obtenus des alliages binaires Cu-Se contenant les différentes phases: Cu3Se2,CuSe et Cu2Se. L'aaliage dopé In était composé de la phase CuSe et du ternaire CuInSe2.
l'UV-visible a montré que nos couches formées de phases binaires en des énergies de gap trés proches des valeurs indiqués dans la littérature.Pour la couche contenant CuSe et le ternaire CuInSe2 nous avons trouvé une énergie de gap comprise entre celles de ces deux phases.
