Elaboration et caractérisation de nanostructures à base de matériaux semi-conducteurs

Abstract

L'objectif de ce travail a été d'étudier les propriétés structurales, morphologiques et optique de nitrure de gallium massif après transformation de sa morphologie à l'échelle nanométrique.Le nouveau matériau est obtenu sous éclairement par la méthode d'anodisation électrochimique, en faisant varier certains paramètres expérimentaux tels que le courant et la durée d'anodisation. ces paramètres ont une influence directe sur la taille, le nombre et la hauteur des nanostructures formées en surface ce qui permet de modifier les propriétés optique du matériau dans un large domaine de longeurs d'onde. Toutes le technique de caractérisation utilisées dans ce travail, ont donc montré l'influence de l'intensité de courant et la durée d'anidisation sur la morphologie des couches nanostructurées de nitrure de gallium.Par un choix judicieux des paramètres d'anodisation il est donc possible de controler les propriétés morphologiques et optiques du matériau Mot Clés: nitrure de gallium, anodisation électrochimique, courant d'anodisation, duré d'anodisation, source laser, DRX, MEB, PL, mesures de réflectivité