Dépôt Institutionnel Université de Jijel

Etude de l’impact des paramètres structuraux sur les caractéristiques électriques d’un MOSFET-SOI

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dc.contributor.author Benmeriouma, Amina
dc.contributor.author Mimeche, Asma
dc.contributor.author Zigha, Chemseddine (Encadreur)
dc.date.accessioned 2020-03-15T10:04:38Z
dc.date.available 2020-03-15T10:04:38Z
dc.date.issued 2019
dc.identifier.uri http://dspace.univ-jijel.dz:8080/xmlui/handle/123456789/283
dc.description Option: Micro-électronique fr_FR
dc.description.abstract A l’heure où la miniaturisation des technologies CMOS sur substrat massif atteint des limites, la technologie FDSOI (silicium sur isolant totalement déserté) s’impose comme une alternative pour l’industrie en raison de ses meilleures performances. Dans cette technologie, l’utilisation d’un substrat SOI ultramince améliore le comportement des transistors MOSFETs et garantit leur intégrité électrostatique pour des dimensions en deçà de 28nm. L’apparition des nouveaux procédés de fabrication notamment la photolithographie a donné naissance à de nouvelles architectures pour les transistors MOSFETs dit ‘la technologie SOI’. Ce procédé a permis entre autre, un meilleur contrôle des effets canaux courts. L’objectif de cette étude est de mettre en évidence par simulation les effets des canaux courts dans les transistors MOSFET, et d’étudier les paramètres pouvant influencer la variation de ces effets. Ce travail fut réalisé par le biais du simulateur SILVACO- TCAD et nous a permis d’examiner les caractéristiques électriques d’une telle structure pour laquelle nous avons pu examiner les effets de la variation de certains de ses paramètres sur ses caractéristiques électriques pour différent température. fr_FR
dc.language.iso fr fr_FR
dc.publisher Université de Jijel fr_FR
dc.subject Transistor MOSFET, Technologie SOI, Technologie planaire totalement désertée (FDSOI), SILVACO-TCAD fr_FR
dc.title Etude de l’impact des paramètres structuraux sur les caractéristiques électriques d’un MOSFET-SOI fr_FR
dc.type Thesis fr_FR


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