Modélisation et caractérisation des transistors LDMOS dans le domaine des RF à Base de schéma équivalent

Abstract

Le but de notre projet est de modéliser le transistor LDMOS dans le domaine des RF. Pour cela, nous avons utilisé la modélisation empirique en se basant sur un schéma équivalent que nous avons choisi. Pour extraire les éléments de ce dernier, nous avons utilisé la méthode d’épluchage élaboré par G. DAMBRINE, et à l’aide du simulateur ADS, nous avons comparé les résultats de la mesure avec ceux de la simulation, nous avons obtenu un bon accord. L’extraction des éléments du modèle petit-signal est rapide et précise. Enfin, nous avons étudié la sensibilité des éléments intrinsèques par rapport à l’extraction des éléments extrinsèques, par conséquent nous avons appliqué une erreur de ±3% ou ±6% sur les éléments extrinsèques à tour de rôle et cela pour plusieurs points de polarisation. Les résultats obtenus nous permettent d’améliorer le modèle choisit