Dépôt Institutionnel Université de Jijel

Parcourir Département d'Electronique par sujet "Structure MOS, dopage au phosphore, fréquence, C(V), image MEB, effet Hall, résistivité, I(V)."

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  • Doukhane, Nadia; Birouk, Boubekeur (Rapporteur) (2018-06-28)
    L’objectif de ce travail est l’étude et l’analyse des propriétés électriques et diélectriques des structures MOS à grille de polysilicium (PolySi/SiO2/p-Si). Le comportement électrique de ces structures a été étudié sur ...

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