Etude des propriétés électriques des transistors UTBB-SOL

Abstract

A l’heure où la miniaturisation des technologies MOS sur substrat massif atteint des limites, la technologie FDSOI (silicium su isolant totalement déserté) s'impose comme une alternative pour l'industrie en raison de ses meilleures performances. Dans cette technologie, l'utilisation d'un substrat Solultramince améliore le comportement des transistors MOSFETs et garantit leur intégrité électrostatique pour des dimensions en deçà de 28nm. les transistors MOSFETs su silicium massif présente de nombreux enjeux en raison de 1'apparition de phénomènes parasites. Notamment, la réduction de la surface des dispositifs entraîne une dégradation de la variabilité de leurs caractéristiques électriques. La technologie planaire totalement désertée, appelée communément FDSOI (pour Fully Depleted Silicon on lnsulator), permet d'améliorer le contrôle électrostatique de la grille su le canal de conduction et par conséquent d'optimiser les performances. De plus, de par la présence d'un canal non dopé, il est possible de réduire efficacement la variabilité de la tension de seuil des transistors. Cela se traduit par un meilleur rendement et par une diminution de la tension minimale d'alimentation des circuits SRAM (pour Static Random Access Memory). Une étude détaillée de la variabilité intrinsèque à cette technologie a été réalisée durant ce travail de recherche, aussi bien sur la tension de seuil (Vt) que sur le courant de drain à l'état passant (Isat).