Résumé:
L'objectif de notre travail est d'étudier le phénomène de transformation des couches
de silicium monocristallin en silicium nanostructuré. Plusieurs échantillons de silicium
poreux ont été réalisés par anodisation électrochimique sur des substrats Si (100) de
type P et N, en faisant varier certains paramètres expérimentaux tels que l'intensité
de courant et la durée d'anodisation.
Pour mener à bien notre travail, des caractérisations par la Spectroscopie Infra
Rouge à Transformée de Fourier (FTIR), Microscopie à Force Atomique (AFM) et
mesure de Réflectance ont été réalisées sur plusieurs échantillons. Les résultats
d'analyses nous ont permis de mettre en évidence l'influence des paramètres
d'anodisation et en particulier l'intensité de courant et la durée d'anodisation,
Le calcul de la porosité des couches nanostructurées nous donne une variation de
cette dernière allant de 40 à 90%. Par un choix judicieux des paramètres
expérimentaux il est possible de contrôler la taille des nanostructures et la porosité
des échantillons élaborés,
