Modélisation, caractérisation et la sensibilité des transistors LDMOS dans le domaine des RF à base de schéma équivalent

Abstract

Dans ce projet, notre but est de modéliser, dans le domaine des radiofréquences le transistor LDMOS. Pour cela, nous avons utilisé la modélisation phénoménologique en se basant sur un schéma équivalent que nous avons choisi. Pour extraire les éléments de ce dernier, nous avons utilisé la méthode d'épluchage. Ensuite, nous avons implanté le modèle dans le simulateur ADS. Pour le valider, nous avons comparé les résultats de la mesure avec ceux de la simulation, nous avons obtenus un bon accord. L'extraction des éléments du modèle petit signal est rapide et précise. Enfin, nous avons étudié la sensibilité des éléments intrinsèques par rapport à l'extraction des éléments extrinsèques, par conséquent, nous avons appliqué une erreur de ±5% ou ±10% sur les éléments extrinsèques à tour de rôle et cela pour plusieurs points de polarisation