Comparaison entre différents schémas électriques équivalents pour la modélisation RF du transistor

Abstract

Le but de ce projet est de modéliser et caractériser le transistor MOS encapsulé en boîtier dans le domaine des RF à base de différents schémas équivalents et de faire une étude comparative afin de choisir le modèle le plus simple et le plus précis. L’extraction des éléments du modèle se fait par la méthode d’épluchage élaborée par G. DAMBRINE. Après l’extraction des valeurs des éléments, nous avons implémenté les modèles sur le logiciel de simulation ADS qui assure la visualisation des résultats de plusieurs designs en même temps. La comparaison des paramètres S mesurés et ceux calculés nous a donné un bon accord pour tous les schémas, ce qui veut dire que les schémas équivalents utilisés sont très convenables pour ce genre de transistors.