Modélisation du transport électronique quasi-balistique pour le graphene

Abstract

Le graphène est un matériau de carbone à (2D) ayant une structure unique et des propriétés optiques ; mécaniques ; thermiques et chimiques exceptionnelles.Il a une très grande mobilité de charges, une haute conductivité électrique , une excellente résistance mécanique , une bande interdite modifiable et une bonne aptitude. Pour cela ce mémoire de master porte sur l’étude de ce matériau. Qui a été isolé expérimentalement pour la première fois, en 2004, à partir du graphite. Nous avons présenté des technologies à base du graphène aussi que les spécificités et les propriétés du graphène (comme la densité de courant, la largeur de grille et la mobilité) et pourquoi est-il favorable dans le domaine des applications à hautes fréquences et comment peut-il être intégré dans les dispositifs micro-électronique, tel que les transistors à effet de champ (FET). D'après la theorie des flux de McKelvey , les résultats de simulation numérique pour le modèle de transport quasi-balistique (BTM) de dispositif analytique pour un transistor GFET ont montré que les paramètres de dopage et des tensions de drain importantes ont une influence non négligeable sur l’effet de champs, qui à son tour impacte le courant de sortie.