Etude des dispositifs MOSFET UTBB SOI 28 nm avec un underlap grille-source/drain.

Abstract

Ce travail étudie l'impact de l‟underlap grille- source/drain (LUL) sur les dispositifs UTBB FDSOI 28 nm à l'aide de simulations numériques bidimensionnelles (2D). On constate que l‟underlap plus long produit un courant d'arrêt plus faible (Ioff) mais au prix d'un courant passant plus faible (Ion), donc une transconductance plus faible (gm). En termes d'impact l‟underlap plus long montre 1) une influence plus forte sur les caractéristiques Id-Vg 2) une amélioration du DIBL en raison d'un effet plus faible du potentiel de drain, par rapport à l'absence de l‟underlap. De plus, la dépendance DIBL à l'égard de diverses structures à underlap plus courte par rapport à underlap plus long. Il est démontré que pour obtenir un bon contrôle des effets de canal court (SCE) et des résultats numériques optimaux, les structures à adopter dans la conception des dispositifs, il faut qu‟il y ait un compromis entre Ioff et Ion, ainsi que sur le DIBL.