Dépôt Institutionnel Université de Jijel

Etude des dispositifs MOSFET UTBB SOI 28 nm avec un underlap grille-source/drain.

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dc.contributor.author Aliouane, Djouhaina
dc.contributor.author Zebila, Walid
dc.contributor.author Zigha, Chemseddine (Encadreur)
dc.date.accessioned 2021-02-11T10:05:55Z
dc.date.available 2021-02-11T10:05:55Z
dc.date.issued 2020
dc.identifier.uri http://dspace.univ-jijel.dz:8080/xmlui/handle/123456789/5740
dc.description Option: Micro-électronique fr_FR
dc.description.abstract Ce travail étudie l'impact de l‟underlap grille- source/drain (LUL) sur les dispositifs UTBB FDSOI 28 nm à l'aide de simulations numériques bidimensionnelles (2D). On constate que l‟underlap plus long produit un courant d'arrêt plus faible (Ioff) mais au prix d'un courant passant plus faible (Ion), donc une transconductance plus faible (gm). En termes d'impact l‟underlap plus long montre 1) une influence plus forte sur les caractéristiques Id-Vg 2) une amélioration du DIBL en raison d'un effet plus faible du potentiel de drain, par rapport à l'absence de l‟underlap. De plus, la dépendance DIBL à l'égard de diverses structures à underlap plus courte par rapport à underlap plus long. Il est démontré que pour obtenir un bon contrôle des effets de canal court (SCE) et des résultats numériques optimaux, les structures à adopter dans la conception des dispositifs, il faut qu‟il y ait un compromis entre Ioff et Ion, ainsi que sur le DIBL. fr_FR
dc.language.iso fr fr_FR
dc.publisher Université de Jijel fr_FR
dc.subject MOSFET UTBB FDSOI, Underlap, Caractéristiques Id-Vg, Abaissement de la barrière induite par le drain (DIBL). fr_FR
dc.title Etude des dispositifs MOSFET UTBB SOI 28 nm avec un underlap grille-source/drain. fr_FR
dc.type Thesis fr_FR


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