Etude de l'influence du temps de dépôt sur les propriétés des couches minces de sulfure de zinc déposées par bain chimique (CBD).

Abstract

Le sulfure de zinc est un semi conducteur à large bande interdite avec des applications potentielles en dispositifs photoniques et optoélectroniques, ainsi que comme allitérative du Cds pour les cellules solaire. [es couches minces de ZnS ont été déposées sur substrat en verre à température de 80 C° toute en variant le temps de dépôt de 120 à 180 min par la méthode de bain chimique, simple et peu coûteuse, la théorie est utilisée en tant que source d'ion de sulfure et le citrate trisodique en tant que agent complexant dans un milieu alcalin. Les film de ZnS ont été caractérisés par DRX, MEB, FTIR, absorption optique, méthode de deux pointes. Ies spectres de diffraction des rayons X montrent que les films de ZnS dans l'ensenble amorphe : Présence d'un pic très large sous forme d'une bosse (matrice amorphe dans laquelle sont noyées des cristallites de faible taille). Les mesures spectrophotomètre UV-Visible ont montré un domaine transparent auteur de 65-87% dans la gamme de 3SO à 800 nm. La bande interdit des films de ZnS déposée est estimée à 3.7ev avec une conductivité électrique qui diminue avec le temps de dépôt.