Dans ce travail, nous avons élaboré des couches minces de o-FezOrpw et dopé Cuivre par la méthode de spin-caoting sur des substats de verre. L'objectif de ce fravail est d'étudier I'effet du dopage sur les propridtés de ce matériau.
Pour ceci, nous avons analysé nos couches par diverses techniques : structurale, optique et électrique.
La caractérisation structurale d partir des diftactogrammes RX a confirmé la formation du
semi-conducteur a-FezOr de sfructure nigonal de type corindon avec une forte orientation
préférentielle suivant le plan (104) et le déplacement des angles de diffraction vers les grandes valeurs lorsque le taux de dopage croit. Les études des spectres de transmittance dans le domaine UV-visible 290-1000 nm, ont montri la grande fansparence des couches minces élaborées et la diminution du gap pour le taux de dopage I % ensuite I'augmentation de la bande interdit pour 2 % suivie un décroissement i partir de 3 Yo du dopage. Les mesures électriques ont montré [a diminution ensuite l'augmentation de la rdsistivité avec I'accroissement du taux de dopage d cause de I'augmentation de nombre des porteurs des charges (élechons) et la diminution de la mobiliti des électrons.
Dans ce travail, nous avons élaboré des couches minces de o-FezOrpw et dopé Cuivre par la méthode de spin-caoting sur des substats de verre. L'objectif de ce fravail est d'étudier I'effet du dopage sur les propridtés de ce matériau.
Pour ceci, nous avons analysé nos couches par diverses techniques : structurale, optique et électrique.
La caractérisation structurale d partir des diftactogrammes RX a confirmé la formation du
semi-conducteur a-FezOr de sfructure nigonal de type corindon avec une forte orientation
préférentielle suivant le plan (104) et le déplacement des angles de diffraction vers les grandes valeurs lorsque le taux de dopage croit. Les études des spectres de transmittance dans le domaine UV-visible 290-1000 nm, ont montri la grande fansparence des couches minces élaborées et la diminution du gap pour le taux de dopage I % ensuite I'augmentation de la bande interdit pour 2 % suivie un décroissement i partir de 3 Yo du dopage. Les mesures électriques ont montré [a diminution ensuite l'augmentation de la rdsistivité avec I'accroissement du taux de dopage d cause de I'augmentation de nombre des porteurs des charges (élechons) et la diminution de la mobiliti des électrons.
