Dépôt Institutionnel Université de Jijel

Modélisation du signal EBIC D’une Cellule Solaire A Base de Nano fil de GaAs

Afficher la notice abrégée

dc.contributor.author Naziha, Madi
dc.contributor.author Lahreche, A.(encadreur)
dc.date.accessioned 2021-03-30T08:14:33Z
dc.date.available 2021-03-30T08:14:33Z
dc.date.issued 2020-07
dc.identifier.uri http://dspace.univ-jijel.dz:8080/xmlui/handle/123456789/7389
dc.description.abstract Ce travail est consacré à une modélisation du signal EBIC d’une jonction pn avec forme de fil. L'effet des paramètres électriques de la jonction tels que la longueur de diffusion L et la vitesse de recombinaison surfacique vr et des paramètres géométriques tels que les rayons ra et la longueur h sur la distribution des porteurs de charge générés et le signal EBIC est étudié. Les résultats montrent que le signal EBIC calculé dépend fortement de vr lorsque L> ra. Pour le cas L <ra, le signal EBIC est presque indépendant de vr, sauf dans la région proche de la zone de charge d'espace ou une légère variation est constatée. Le signal EBIC diminue avec l'augmentation de vr pour les deux cas étudiés. Par ailleurs, le signal EBIC augmente avec l'augmentation de L jusqu'à une valeur Ls. à partir de là le signal devient indépendant de L. En outre, le signal EBIC augmente avec l'augmentation de la rayonne du fil. Pour la longueur du fil h, le signal EBIC augmente avec ce paramètre jusqu'à ce que de la zone neutre (p ou n) ait la longueur hc 3L, à partir de laquelle le signal devient constante fr_FR
dc.description.abstract Ce travail est consacré à une modélisation du signal EBIC d’une jonction pn avec forme de fil. L'effet des paramètres électriques de la jonction tels que la longueur de diffusion L et la vitesse de recombinaison surfacique vr et des paramètres géométriques tels que les rayons ra et la longueur h sur la distribution des porteurs de charge générés et le signal EBIC est étudié. Les résultats montrent que le signal EBIC calculé dépend fortement de vr lorsque L> ra. Pour le cas L <ra, le signal EBIC est presque indépendant de vr, sauf dans la région proche de la zone de charge d'espace ou une légère variation est constatée. Le signal EBIC diminue avec l'augmentation de vr pour les deux cas étudiés. Par ailleurs, le signal EBIC augmente avec l'augmentation de L jusqu'à une valeur Ls. à partir de là le signal devient indépendant de L. En outre, le signal EBIC augmente avec l'augmentation de la rayonne du fil. Pour la longueur du fil h, le signal EBIC augmente avec ce paramètre jusqu'à ce que de la zone neutre (p ou n) ait la longueur hc 3L, à partir de laquelle le signal devient constante fr_FR
dc.language.iso fr fr_FR
dc.publisher University of Jijel fr_FR
dc.relation.ispartofseries ;Phy.Mat.13-20
dc.subject Mots Clés: La Technique EBIC, la cellule solaire, fil de GaAs fr_FR
dc.subject Mots Clés: La Technique EBIC, la cellule solaire, fil de GaAs fr_FR
dc.title Modélisation du signal EBIC D’une Cellule Solaire A Base de Nano fil de GaAs fr_FR
dc.type Thesis fr_FR


Fichier(s) constituant ce document

Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)

Afficher la notice abrégée

Chercher dans le dépôt


Recherche avancée

Parcourir

Mon compte